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(GaMn)As体系中Mn无序对其电子结构及磁性影响的第一性原理研究
作者姓名:郭旭光  陈效双  孙沿林  周孝好  孙立忠  陆卫
作者单位:中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083
基金项目:中国科学院"百人计划"基金(批准号:200102),国家重点基础研究项目(批准号:Gl998061404)和国家自然科学基金重点项目(批准号:10234040)资助的课题.
摘    要:关键词

关 键 词:稀磁半导体  (Ga  Mn)As  密度泛函理论
文章编号:1000-3290/2004/53(05)/1516-04
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