| 紫激光作用下四甲基硅多光子电离TOF质谱研究 |
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| 引用本文： | 施德恒,熊永建.紫激光作用下四甲基硅多光子电离TOF质谱研究[J].光学学报,1994,14(2):54-158. |
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| 作者姓名： | 施德恒 熊永建 |
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| 作者单位： | 空军第一航空学院基础部，信阳师范学院物理系，中国科技大学近代化学系，中国科学院化学研究所 |
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| 摘 要： | 本文采用超声分子束技术，以飞行时间质谱仪，在３９６～３８７ｎｍ内的紫激光作用下对四甲硅进行了多光子电离飞行时间质谱的研究，在较高在激光能量作用下检测到了Ｓｉ（ＣＨ３）＾＋ｎ（ｎ＝１，２，３，）、Ｓｉ＾＋及Ｃ＾＋２等多种离子的信号，在较低的激光能量作用下只检测到了Ｓｉ＾＋、Ｃ＾＋２等离子的信号，表明四甲基硅在不同激光能量作用下经历了不同的多光子电离过程。
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| 关 键 词： | 四甲基硅 飞行时间质谱 多光子电离 |
| 收稿时间： | 1993/2/22 |
Violet Laser TOF Mass Spectra Study on Mudtiphoton Ionization of Tetramethylsilane |
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| Shi Deheng.Violet Laser TOF Mass Spectra Study on Mudtiphoton Ionization of Tetramethylsilane[J].Acta Optica Sinica,1994,14(2):54-158. |
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| Authors: | Shi Deheng |
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| Abstract: | We studied the TOF mass spectra of multiphoton ionhation oftortramethylsilane with ultrasonic molecular beam system at violet laser rebation in thewavelength range of 396～387 urn. In our experimentS, TOF mass spectra showed thatSt (CH3) (n=1, 2, 3), Si+ and C constantly appeated at higher energy laser rebationbut only Si+ and C appeared at lower energy laser radiation. These results indicated thattetramethylsilane had different MPI process under the different laser rebation. |
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| Keywords: | tetramethylsilane TOF mass spectra multiphoton ionization |
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