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CdSe纳米晶薄膜的制备与特性研究
引用本文:曾体贤,刘其娅,陈太红,谌家军. CdSe纳米晶薄膜的制备与特性研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(7): 1376-1379
作者姓名:曾体贤  刘其娅  陈太红  谌家军
作者单位:西华师范大学物理与电子信息学院,南充,637009
基金项目:四川省教育厅重点项目(01ZB089);四川省非金属复合与功能材料重点实验室开放课题(12zxfk15);南充市科技支撑计划(402614)
摘    要:
采用真空热蒸发技术,在光学玻璃基片上生长出排列整齐、高质量的CdSe纳米晶薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、扫描电镜(SEM)、傅里叶红外光谱(IR)等进行表征.结果表明,薄膜结晶性能较好,纳米晶颗粒约为40 ~70 nm,呈半月状,排列整齐;化学元素配比为49.4∶50.6,稍微富Se;红外透过率高,禁带宽度为1.89 eV,高于块状的CdSe晶体(1.70 eV).

关 键 词:CdSe薄膜  热蒸发  透过率  禁带宽度,

Preparation and Characterization of CdSe Nanocrystalline Films
ZENG Ti-xian,LIU Qi-ya,CHEN Tai-hong,CHEN Jia-jun. Preparation and Characterization of CdSe Nanocrystalline Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(7): 1376-1379
Authors:ZENG Ti-xian  LIU Qi-ya  CHEN Tai-hong  CHEN Jia-jun
Abstract:
Keywords:
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