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Si对热压烧结B4C陶瓷材料显微结构与性能的影响
引用本文:张卫珂,常杰,张敏,高利珍,张玉军.Si对热压烧结B4C陶瓷材料显微结构与性能的影响[J].人工晶体学报,2013,42(12):2576-2582.
作者姓名:张卫珂  常杰  张敏  高利珍  张玉军
作者单位:太原理工大学环境科学与工程学院,太原,030024;山东大学材料科学与工程学院,济南,250061
基金项目:山西省回国留学人员科研资助项目(2012-035);太原理工大学人才引进资助项目(tyut-rc201101a)
摘    要:采用Si作为烧结助剂,利用热压烧结技术烧结制备了SiB6-B4C陶瓷复合材料.采用热力学计算、XRD物相分析,结合SEM图片,探讨了Si-B4C陶瓷的烧结过程和机理.结果表明:Si有助于促进B4C陶瓷的致密化烧结,原位生成的SiB6有助于B4C陶瓷机械性能的提高;Si的最佳加入量为10wt;;预烧处理对Si-B4C陶瓷烧结有利,1000 ~ 1400℃预烧8h后制备的B4C陶瓷弯曲强度447.3 MPa,断裂韧性4.42 MPa· m1/2,HRA硬度为94.

关 键 词:B4C  SiB6  热压烧结  原位增强  

Effect of Si on the Microstructure and Properties of Hot-pressed Sintered B4C
ZHANG Wei-ke,CHANG Jie,ZHANG Min,GAO Li-zhen,ZHANG Yu-jun.Effect of Si on the Microstructure and Properties of Hot-pressed Sintered B4C[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(12):2576-2582.
Authors:ZHANG Wei-ke  CHANG Jie  ZHANG Min  GAO Li-zhen  ZHANG Yu-jun
Abstract:
Keywords:
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