| 非晶Cr/Ge多层膜的磁性和电性能研究 |
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| 引用本文： | 王锋,许辉鳄,杨少贵.非晶Cr/Ge多层膜的磁性和电性能研究[J].人工晶体学报,2013,42(8):1658-1663. |
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| 作者姓名： | 王锋 许辉鳄 杨少贵 |
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| 作者单位： | 泉州师范学院物理与信息工程学院,泉州,362000 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金项目(2010J01305);福建省教育厅A类科技项目(JA12283);泉州市科技项目计划(2012Z105);泉州市优秀人才培养专项经费(12A17) |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射的方法制备了非晶Crx/Ge10-x]20(x=0.1,0.3,0.5,0.8,1.1,1.6,2.7)多层膜.随着Cr层厚度增加,Ge层厚度减小,室温下薄膜磁性由抗磁性转变为铁磁性,同时样品出现了反常霍尔效应.扣除Ge层的抗磁性,制备态的Cr2.7/Ge7.3]20的饱和磁化强度Ms可达33 emu/cm3.提出了磁性起源于Cr原子层间耦合的模型,薄膜的低温电阻导电机理属于自旋依赖电子变程跃迁机制.
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| 关 键 词： | 非晶多层膜 磁控测射 磁性 导电机理 |
Magnetic and Electrical Properties of Amorphous Cr/Ge Multilayer Films |
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| WANG Feng,XU Hui-e,YANG Shao-gui.Magnetic and Electrical Properties of Amorphous Cr/Ge Multilayer Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(8):1658-1663. |
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| Authors: | WANG Feng XU Hui-e YANG Shao-gui |
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| Keywords: | |
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