| 低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善 |
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| 引用本文： | 张东国,李忠辉,彭大青,董逊,李亮,倪金玉.低温GaN插入层对AlGaN/GaN二维电子气特性的改善[J].人工晶体学报,2013,42(7):1406-1409. |
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| 作者姓名： | 张东国 李忠辉 彭大青 董逊 李亮 倪金玉 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京,210016 |
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| 摘 要： | 利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN二维电子气(2DEG)材料,在GaN生长中插入一层低温GaN,并研究了低温GaN插入层对二维电子气输运特性的影响.使用原子力显微镜(AFM)和非接触霍尔测试仪测量了材料的表面形貌和电学特性,发现低温GaN插入层可以改善材料表面平整度并使AlGaN/GaN 2DEG的电子迁移率有明显提高,GaN插入层温度为860℃的样品在室温下2DEG的电子迁移率达到2110 cm2/V·s.
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| 关 键 词： | MOCVD 缓冲层 AlGaN/GaN 二维电子气 |
Improvement of Low Tmperature GaN Interlayer on the Property of the Two-dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterostructure |
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| ZHANG Dong-guo,LI Zhong-hui,PENG Da-qing,DONG Xun,LI Liang,NI Jin-yu.Improvement of Low Tmperature GaN Interlayer on the Property of the Two-dimensional Electron Gas in AlGaN/GaN Heterostructure[J].Journal of Synthetic Crystals,2013,42(7):1406-1409. |
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| Authors: | ZHANG Dong-guo LI Zhong-hui PENG Da-qing DONG Xun LI Liang NI Jin-yu |
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