| PECVD提高SiO2薄膜致密性的研究 |
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| 引用本文： | 郭文涛,谭满清,焦健,郭小峰,孙宁宁. PECVD提高SiO2薄膜致密性的研究[J]. 人工晶体学报, 2013, 42(4): 577-581 |
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| 作者姓名： | 郭文涛 谭满清 焦健 郭小峰 孙宁宁 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 为了在高功率980 nm激光器工艺中制备高质量、均匀性好、致密性高的SiO2薄膜,本文研究了PECVD的反应压强、射频功率、SiH4与N2O流量比对SiO2薄膜的沉积速率和BOE腐蚀速率的影响.实验采用BOE腐蚀速率来反映SiO2薄膜的致密性,采用傅里叶红外光谱仪得到SiO2薄膜的红外吸收特性,采用原子力显微镜(AFM)观察SiO2薄膜的表面形貌.通过优化各工艺参数最终获得了BOE腐蚀速率为9.18 nm/s的SiO2薄膜.
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| 关 键 词： | PECVD SiO2薄膜 致密性 BOE腐蚀速率, |
Study on Improving the Compactness of SiO2 Thin Film by PECVD |
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| GUO Wen-tao,TAN Man-qing,JIAO Jian,GUO Xiao-feng,SUN Ning-ning. Study on Improving the Compactness of SiO2 Thin Film by PECVD[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2013, 42(4): 577-581 |
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| Authors: | GUO Wen-tao TAN Man-qing JIAO Jian GUO Xiao-feng SUN Ning-ning |
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