| (100)MgO和(100)LaAlO3高温超导基片材料THz时域光谱研究 |
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| 作者姓名： | 胡颖 张存林 沈京玲 张希成 |
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| 作者单位： | 1. 首都师范大学物理系,北京,100037
2. 美国伦斯勒理工学院应用物理与天文系,纽约州特洛伊市,12180-3590,美国 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金(批准号:6032006)和北京市教育委员会科技发展计划(批准号:KM200310028115)资助的课题. |
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| 摘 要： | THz波段位于微波与红外之间 ,该波段电磁波与物质的相互作用是一个崭新的研究领域 .应用THz时域光谱技术研究了两种重要的单晶基片材料 (1 0 0 )MgO和 (1 0 0 )LaAlO3的THz光谱 .在 0 2— 2THz频率范围 ,得到这两种材料在THz波段的光学参数 .结果表明 ,在THz波段MgO基片材料的折射率 n和介电系数 ε不随频率的变化而变化 ,而LaAlO3基片材料的折射率和介电系数随着频率的增加而略有增加 .在 1THz频率处 ,测得MgO的复折射率 n =3 4 6 i0 0 0 1 ,复介电系数 ε =1 2 2 7 i0 0 6 ;LaAlO3的复折射率 n =4 78 i0 0 2 ,复介电系数 ε =2 2 5 i0 2 在THz波段 ,LaAlO3基片的介电损耗tanδ约为MgO的 5倍 ,且两者的介电损耗值均小于 0 0 1 ,说明MgO和LaAlO3材料作为高温超导器件基片材料可以工作于THz波段
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| 关 键 词： | THz时域光谱 基片 复折射率 复介电系数 介电损耗 |
| 文章编号： | 1000-3290/2004/53(06)/1772-05 |
| 收稿时间： | 2003-07-03 |
| 修稿时间： | 2003-07-03 |
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