反铁磁Cr插入层对CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻的影响 |
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引用本文: | 初冰,卞宝安,吴亚敏.反铁磁Cr插入层对CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻的影响[J].原子与分子物理学报,2015,32(6):853-858. |
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作者姓名: | 初冰 卞宝安 吴亚敏 |
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作者单位: | 江南大学,, |
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摘 要: | 利用基于密度泛函理论和非平衡态格林函数的第一性原理计算研究了CoFe/MgO/CoFe磁性隧道结的隧穿磁电阻效应。给出了该隧道结隧穿磁电阻与偏压的依赖关系,并计算了平行结构与反平行结构相应的I-V特性曲线和传输谱。通过在一侧电极与势垒层之间插入反铁磁金属Cr层,观察到了隧穿磁电阻、电导随插入层Cr层数增加发生衰减和2个原子层周期的振荡现象,这主要是由于Cr拥有反铁磁结构,在Cr/MgO界面形成了与Cr磁矩取向相关的界面散射。
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关 键 词: | 磁性隧道结、隧穿磁电阻、第一性原理计算、反铁磁Cr |
Effect of antiferromagnetic Cr layer on tunneling magnetoresistance of CoFe/MgO/CoFe magnetic tunnel junction |
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