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不同浓度Cu掺杂AlN的电子结构和光学性质研究
作者姓名:邓军权  毋志民  王爱玲  赵若禺  胡爱元
作者单位:重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆师范大学物理与电子工程学院,重庆师范大学物理与电子工程学院
基金项目:国家自然科学基金(61201119)、教育部科学技术重点项目(211152)、重庆市教委科研项目(KJ110634)、国家创新创业训练计划项目(201310637001)和重庆师范大学创新创业训练计划项目(201210637033)
摘    要:采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势和广义梯度近似的第一性原理计算方法,对理想纤锌矿AlN及不同浓度的Cu掺AlN的超晶胞结构进行了几何优化,计算并分析了它们的电子结构、磁电性质和光学性质.结果表明,掺杂后Cu3d态电子与其近邻的N2p态电子发生杂化,在带隙中引入杂质带,6.25%和12.5%的Cu掺杂体系表现出半金属铁磁性,体系总磁矩分别为2.56μв和2.42μв,25%的Cu掺杂体系表现出金属性.随着Cu浓度的增加,体系铁磁性反而减弱.Cu掺杂后体系介电函数虚部和复折射率函数在低能区发生明显变化,增强了体系对低频电磁波的吸收.当Cu浓度增加时体系对高频电磁波的吸收也随之加强.

关 键 词:Cu掺杂AlN  电子结构  铁磁性  光学性质  第一性原理
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