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| 衬底对石墨烯器件电学性质的影响 | |
| 引用本文： | 王天博,葛建雷.衬底对石墨烯器件电学性质的影响[J].物理实验,2018(2). |
| 作者姓名： | 王天博 葛建雷 |
| 作者单位： | 金陵中学;南京大学物理学院;中国电子科技集团第五十五研究所; |
| 摘 要： | 石墨烯依附的衬底材料对石墨烯的电学性质有重要的影响.传统的无定型二氧化硅/掺杂硅衬底上的石墨烯器件表现出弱无序介观样品常有的特性——弱局域化,且加工过程中引入的掺杂易造成费米面远离狄拉克点.衬底本身携带一些随机分布的库伦势,会造成覆盖在其上的石墨烯中的电子运动过程发生散射,从而降低电子的迁移率.而氮化硼衬底上的石墨烯器件更容易达到狄拉克点,且更容易观察到电子的朗道量子化,即量子霍尔效应. |
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