| 半氢化石墨烯与单层氮化硼复合体系的电子结构和磁性的调控 |
| |
| 作者姓名： | 高潭华 郑福昌 王晓春 |
| |
| 作者单位： | 1.武夷学院机电工程学院, 武夷山 354300;2.吉林大学原子与分子物理研究所, 长春 130012 |
| |
| 基金项目： | 武夷学院高级引进人才科研启动项目（批准号：JSGC05）和吉林省自然科学基金（批准号：20170101154jc）资助的课题. |
| |
| 摘 要： | 采用密度泛函理论第一性原理的PBE-D_2方法,对半氢化石墨烯与单层氮化硼(H-Gra@BN)复合体系的结构稳定性、电子性质和磁性进行了系统的研究.计算了六种可能的堆叠方式,结果表明:H-Gra@BN体系的AB-B构型是最稳定的,为铁磁性半导体,上、下自旋的带隙分别为3.097和1.798 e V;每个物理学原胞具有约1μB的磁矩,该磁矩主要来源于由未氢化的C_2原子的贡献;在z轴方向压应力的作用下,最稳的H-Gra@BN体系的电子性质由磁性半导体转变为半金属,再转变为非磁性金属;预测了一种能方便地通过应力调控电子性质和磁性质的新型材料,有望应用在纳米器件以及智能建筑材料等领域.
|
| 关 键 词： | 半氢化石墨烯与单层氮化硼 电子结构与磁性调控 异质结构 第一性原理 |
| 收稿时间： | 2018-03-26 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
|
