磁畴壁手性和磁斯格明子的拓扑性表征及其调控 |
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作者姓名: | 徐桂舟 徐展 丁贝 侯志鹏 王文洪 徐锋 |
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作者单位: | 1. 南京理工大学材料科学与工程学院, 南京 210094;
2. 中国科学院物理研究所, 磁学国家重点实验室, 北京 100190 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(批准号:11604148)资助的课题. |
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摘 要: | 磁性斯格明子由于拓扑的保护性,具有很高的稳定性和较小的临界驱动电流,有望应用于未来的赛道存储器件中.而在中心对称体系,由于偶极作用的各向同性,磁泡的拓扑性和螺旋度都呈现出多样性的特征.其中非平庸的磁泡即等同于磁性斯格明子.我们通过近期实验结果,结合微磁学模拟的方法,发现在中心对称体系中磁斯格明子的拓扑性会受到体系垂直各向异性的调控.另外在加磁场的演变过程中,会很大程度上依赖于基态畴的畴壁特性.磁场的倾斜或者一定的面内各向异性也会改变磁斯格明子的形态.通过对材料的基态磁结构及磁各向异性的调节,辅助以面内分量的控制,可以对基态磁畴、进而对磁斯格明子的拓扑性实现调控.这对磁斯格明子在电流驱动存储器件中的应用具有重要意义.
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关 键 词: | 磁斯格明子 磁畴壁 微磁学模拟 |
收稿时间: | 2018-03-22 |
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