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| 基于金属有机框架的Cu-Cu_xO-C/rGO复合材料制备及其电容性能 | |
| 引用本文： | 李曦,蔡旻堃,孙逢柯,孟倩,周键,董玉林.基于金属有机框架的Cu-Cu_xO-C/rGO复合材料制备及其电容性能[J].武汉大学学报(理学版),2018(4). |
| 作者姓名： | 李曦 蔡旻堃 孙逢柯 孟倩 周键 董玉林 |
| 作者单位： | 武汉理工大学化学化工与生命科学学院 |
| 摘 要： | 以Cu-MOF-199/氧化石墨烯(GO)为前驱体,经高温碳化得到一种铜氧化物均匀分布在碳骨架上的赝电容材料Cu-CuxO-C/rGO,采用热分析法、X射线衍射、扫描电子显微镜等对材料的结构和形貌进行分析,采用循环伏安和恒电流充放电等方法测试材料的电化学性能.未掺杂rGO的复合材料呈八面体构型,Cu和CuxO颗粒均匀分布在碳骨架上,随着rGO引入量的增加,其形态的不规则程度增大.rGO投料比例为10%、碳化温度为800℃时,材料的电容性能最佳,在电流密度为0.5A·g-1时比电容达620F·g-1,1A·g-1时达477F·g-1,2A·g-1时仍有206F·g-1. |
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