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| 纳米半导体中多重激子效应研究进展 | |
| 作者姓名： | 刘长菊 卢敏 苏未安 董太源 沈文忠 |
| 作者单位： | 1. 江西理工大学理学院, 赣州 341000; 2. 上海交通大学太阳能研究所, 物理与天文学院凝聚态光谱与光电子物理实验室, 上海 200240 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：11464016,11647149）资助的课题. |
| 摘 要： | 多重激子效应是指纳米半导体吸收一个高能光子后产生两个甚至多个电子-空穴对的物理过程,不仅具有重要的基础研究意义,而且在新型太阳电池及高性能光电子器件领域具有潜在应用价值.综述了多重激子效应的发展历程;总结了纳米半导体的材料组分、体系结构甚至表面质量对多重激子效应的影响;介绍了多重激子效应的实验测试分析方法以及解释多重激子效应的理论方法;概括了目前多重激子效应在器件中的应用并对其应用前景进行展望. |
| 关 键 词： | 多重激子效应 量子效率 阈值能量 纳米半导体 |
| 收稿时间： | 2017-08-29 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |