| 铜铌稀合金超薄膜的弱局域电性 |
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| 引用本文： | 宋鹏程,危健,吴克,侯玉敏,阎守胜.铜铌稀合金超薄膜的弱局域电性[J].低温物理学报,2000,22(2):86-91. |
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| 作者姓名： | 宋鹏程 危健 吴克 侯玉敏 阎守胜 |
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| 作者单位： | 北京大学物理系,北京,100871 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 !批准号 1973 40 0 1 |
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| 摘 要： | 在 4.2到 2 5K范围内测量了 2 0纳米稀掺杂铜铌超薄膜 (Cu99Nb1 ,Cu95 Nb5 )的电阻及磁导随温度的变化 ,没有观察到超导的迹象 ,而且样品的磁导都表现出典型的弱局域性质 .通过与理论的拟合 ,得到描述弹性散射 ,非弹性散射 ,自旋 轨道散射和磁散射的特征磁场和特征迟豫时间 .Cu95 Nb5 的各种特征迟豫时间均比Cu99Nb1 的小 .铌的加入不仅很大地影响了杂质引起的电子 电子散射 ,同时也是导致样品的弹性散射时间与自旋 轨道散射时间之比τ0 /τso偏离Abrikosov Gorkov关系的主要原因
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| 关 键 词： | 铜铌稀合金超薄膜 弱局域电性 电阻 磁导 |
WEAK LOCALIZATION OF ULTRA-THIN DILUTE Cu-Nb FILMS |
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| P.C.Song,J.Wei,K.Wu,Y.M.Hou,S.S.Yan.WEAK LOCALIZATION OF ULTRA-THIN DILUTE Cu-Nb FILMS[J].Chinese Journal of Low Temperature Physics,2000,22(2):86-91. |
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| Authors: | PCSong JWei KWu YMHou SSYan |
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