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半导体方程解的整体上下界
引用本文:郭秀兰,王秀梅.半导体方程解的整体上下界[J].应用数学,2008,21(2):308-316.
作者姓名:郭秀兰  王秀梅
作者单位:1. 河南工业大学理学院,河南,郑州,450052
2. 河南机电高等专科学校,新乡,453007
摘    要:研究半导体方程混合初边值解的整体性质,应用Stampacchia的最大模估计方法,对问题解的上下界分别作出估计.

关 键 词:半导体方程  漂移-扩散  整体上下界  Semiconductor  equations  Drift-diffusion  Global  upper  and  lower  bounds  半导体  方程解  整体上下界  Semiconductor  Equations  Solutions  Lower  Bounds  Super  general  method  estimate  upper  and  lower  bounds  solutions  idea  paper  global  behavior  model  semiconductor  devices  估计方法
文章编号:1001-9847(2008)02-0308-09
修稿时间:2007年9月9日

Global Super and Lower Bounds of the Solutions to Semiconductor Equations
GUO Xiu-lan,WANG Xiu-mei.Global Super and Lower Bounds of the Solutions to Semiconductor Equations[J].Mathematica Applicata,2008,21(2):308-316.
Authors:GUO Xiu-lan  WANG Xiu-mei
Abstract:This paper is devoted to the global behavior of the time-depent drift-diffusion model for semiconductor devices.we give a more general method than other papers to estimate upper and lower bounds of solutions by using Stampacchia estimating idea.
Keywords:Semiconductor equations  Drift-diffusion  Global upper and lower bounds
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