| 锑对在硫酸溶液中形成的阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜的半导体性质的影响Ⅲ. 交流阻抗法研究阳极Sb~2O~3膜 |
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| 引用本文： | 浦琮,周伟舫,张亿良.锑对在硫酸溶液中形成的阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜的半导体性质的影响Ⅲ. 交流阻抗法研究阳极Sb~2O~3膜[J].化学学报,1994,52(4). |
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| 作者姓名： | 浦琮 周伟舫 张亿良 |
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| 作者单位： | 复旦大学化学系 上海200433
(浦琮，周伟舫)，上饶师范专科学校化学系 上饶334001(张亿良) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助的项目 |
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| 摘 要： | 应用交流阻抗方法研究锑在0.05mol.dm~(-3)H_2SO_4十0.5mol.dm~(-3)Na_2SO_4溶液(30℃)中以0.9V(vs.Hg/Hg_2SO_4/0.05mol. dm~(-3)H_2SO_4)生长3h的阳极Sb_2O_3膜的半导体性质.从Mott-Schottky曲线可知,此膜为n型半导体,平带电位为-0.34V(vs.Hg/Hg_2SO_4/0.05mol.dm~(-3)H_2SO_4),施主密度为4.0×10~(19)cm~(-3).讨论了锑增加铅锑合金阳极Pb(Ⅱ)氧化物膜施主密度的原因.
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| 关 键 词： | 阳极Sb_2O_3膜 Mott-Schottky方程 平带电位 施主密度 |
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