| 多孔硅的光致发光机制 |
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| 引用本文： | 王晓静,李清山.多孔硅的光致发光机制[J].发光学报,2004,25(4):396-400. |
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| 作者姓名： | 王晓静 李清山 |
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| 作者单位： | 曲阜师范大学,物理系,山东,曲阜,273165;曲阜师范大学,物理系,山东,曲阜,273165 |
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| 基金项目： | 山东省自然科学基金资助项目 (Y2 0 0 2A0 9) |
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| 摘 要： | 人们已经提出了许多解释多孔硅发光的理论模型，每个模型都可以针对某些实验现象做出合理的解释，而对其他的实验结果就可能无法解释甚至相悖，因此多孔硅的发光机制至今仍是需要进一步研究和解决的问题。通过改变阳极氧化的条件，制得了一系列样品，其光致发光谱主要有四个峰。随着制备条件的改变，各个峰位的变化不大，但峰值强度比的变化比较大。随着自然氧化时间的延长，各个峰位的变化很小，有红移也有蓝移，有的则基本不变；而峰值强度的减弱幅度较大，但对应于各个峰位幅度的减弱是均衡的。分析实验现象产生的原因，认为多孔硅的发光是多种发光机制共同作用的结果；多孔硅纳米量子线的一定尺寸分布，不仅使光致发光谱存在一定的带宽，而且也是产生多峰现象的原因之一；多孔硅的结构特征对其发光特性起着决定性的作用。
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| 关 键 词： | 多孔硅 多峰发射 发光机制 尺寸分布 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)04-0396-05 |
| 修稿时间： | 2003年7月25日 |
Photoluminescence Mechanism of Porous Silicon |
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| WANG Xiao-jing,LI Qing-shan.Photoluminescence Mechanism of Porous Silicon[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(4):396-400. |
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| Authors: | WANG Xiao-jing LI Qing-shan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | porous silicon multi-peak emission photoluminescence mechanism size distribution |
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