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X光纳米充刻掩模的离子束制备法
引用本文:韩勇,彭良强,巨新,伊福廷,张菊芳,吴自玉.X光纳米充刻掩模的离子束制备法[J].北京同步辐射装置,2001(2):117-118,.
作者姓名:韩勇  彭良强  巨新  伊福廷  张菊芳  吴自玉
作者单位:中国科学院高能物理所,北京100039
摘    要:重离子柬轰击聚碳酸酯后.对样品进行陈化和紫外线照射数化,在优化条件下蚀刻后得到纳米孔径核孔膜。利用电化学沉积技术在核孔膜中制备了最小孔径为30纳米的铜纳米线。获得的钥纳米线/聚碳酸酯可以作为x光纳米光刻的腌膜。

关 键 词:X光  纳米结构  光刻  纳米线  掩模  核孔膜  电化学沉积  离子束制备法  高能重离子
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