|
|||||
|
|
| 电致发光显示究研动向 | |
| 引用本文： | 霞浦中研 ,铃木忠二 ,陈洪国.电致发光显示究研动向[J].发光学报,1978(2). |
| 作者姓名： | 霞浦中研 铃木忠二 陈洪国 |
| 摘 要： | 继粉末电致发光(注:以下电致发光均略写为EL)显示器件之后,1968年美国贝尔研究所研制出不同发光机理的高亮度薄膜EL器件,引起了广泛的注意。这种器件,是在ZnS中掺进希土类氟化物分子(TbF_3)作为发光中心,亮度达到数百尺朗伯(fL)。接着,美国Sigmatron公司又研制成硫化锌掺锰的三层薄膜EL器件,发光层背面镶有As_2S_3黑色绝缘层,提高了屏的反差。日本霞浦公司于1973年,研制成将ZnS发光层夹在Y_2O_3和Si_3N_4绝缘层间的对称型薄膜EL器件,亮度达1,500fL, |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |