| 硫堇衍生化自组装膜修饰金电极的电化学性质及其对抗坏血酸的电催化氧化 |
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| 作者姓名： | 徐静娟 方惠群 陈洪渊 |
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| 作者单位： | 南京大学化学系, 南京, 210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金,江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 将硫堇共价键合到自组装在金电极表面的半胱胺单分子层上,制成了衍生化自组装单分子膜修饰电极,并用电化学方法研究了它的电化学性质.循环伏安图显示其在pH＝7.7的磷酸盐缓冲液中,于－0.45～＋0.50V(vs.SCE)范围内有2对氧化还原峰.峰电位分别为Epa1＝214mV。Epc1＝82mV,Epa2＝－75mV,Epc2＝－160mV(vs.SCE).pH在5.0～9.0范围内,峰1有2个质子参与反应,峰2有1个质子参与反应.它的表面电子转移速率常数ks＝0.02S－1.此膜对抗坏血酸的氧化有催化作用,其氧化过电位较在裸金电极上降低了约250mV.催化电流与抗坏血酸的浓度在1.0×10-6～4.0×10-3mol/L范围内呈良好的线性关系.抗坏血酸催化氧化的异相速率常数为2.68×10-3cm/s.
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| 关 键 词： | 自组装 电催化氧化 硫堇 化学修饰电极 抗坏血酸 |
| 收稿时间： | 1995-04-23 |
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