| 单层MoSSe力学性质的分子动力学模拟研究 |
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| 引用本文： | 张宇航,李孝宝,詹春晓,王美芹,浦玉学.单层MoSSe力学性质的分子动力学模拟研究[J].物理学报,2023(4):207-219. |
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| 作者姓名： | 张宇航 李孝宝 詹春晓 王美芹 浦玉学 |
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| 作者单位： | 合肥工业大学土木与水利工程学院 |
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| 基金项目： | 安徽省自然科学基金(批准号:2208085MA17,2208085ME129)；;中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:PA2021KCPY0029)资助的课题~~； |
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| 摘 要： | 硫硒化钼(MoSSe)是一种新型二维“双面神”半导体材料,具有丰富的物理、化学、力学与电学性质.本文基于Stillinger-Weber势函数,采用分子动力学模拟方法对不同温度下的完美和含晶界MoSSe单层结构展开详细的力学行为分析.结果表明:完美单层MoSSe结构的力学性能呈现明显的各向异性;在单向拉伸作用下,其杨氏模量、强度极限和极限应变均随温度的升高而降低;当温度低于100 K时,沿锯齿形手性方向受拉伸作用的单层MoSSe结构发生由六环蜂窝相向四方相的相变,新四方相的杨氏模量约为原相结构的1.3倍且强度显著提升;当温度高于100 K时,沿锯齿形手性方向拉伸呈现脆性断裂;含晶界单层MoSSe结构受拉伸作用首先在晶界处产生裂缝,并逐步扩展至整个结构后断裂.锯齿形偏向晶界结构的强度随倾斜角度的增大而降低,扶手椅形偏向晶界结构也呈下降趋势.本研究对基于单层MoSSe的电子器件的强度设计和性能优化具有重要指导意义.
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| 关 键 词： | “双面神”MoSSe 力学性质 晶界 分子动力学 |
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