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新型硒化锑薄膜太阳电池背接触优化
引用本文:李学锐,林俊辉,唐戎,郑壮豪,苏正华,陈烁,范平,梁广兴.新型硒化锑薄膜太阳电池背接触优化[J].物理学报,2023(3):252-261.
作者姓名:李学锐  林俊辉  唐戎  郑壮豪  苏正华  陈烁  范平  梁广兴
作者单位:深圳大学物理与光电工程学院
基金项目:国家自然科学基金(批准号:62074102);;广东省自然科学基金(批准号:2022A1515010979);
摘    要:硒化锑(Sb2Se3)具有低毒、原材料丰富和光电性能优异等优点,被认为是最具有发展潜力的薄膜太阳电池光吸收层材料之一.但目前Sb2Se3薄膜太阳电池光电转换效率与碲化镉、铜铟镓硒和钙钛矿等太阳电池相比仍存在较大差距.限制Sb2Se3薄膜太阳电池光电转换效率进一步提升的关键因素之一是,太阳电池结构中Mo背电极和Sb2Se3薄膜构建的背接触界面处容易形成较高的势垒,降低载流子的抽取效率.本工作则对Mo背电极进行热处理生成缓冲层MoO2薄膜,发现缓冲层MoO2的引入,可有效地促进Sb2Se3薄膜的择优取向生长,同时实现太阳电池Mo/MoO2/Sb2Se3背接触势垒降低,相应的填充因子、开路电压和短路电流密度均获得显著提高,构建的太阳电池光电转换效率从5.04%提升至7.05%.

关 键 词:硒化锑  薄膜太阳电池  背接触势垒  光电转换效率
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