| SrRuO3超薄膜制备条件和拓扑霍尔效应的关联 |
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| 引用本文： | 张静娴,保明睿,叶飞,刘佳,成龙,翟晓芳.SrRuO3超薄膜制备条件和拓扑霍尔效应的关联[J].物理学报,2023(9):119-127. |
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| 作者姓名： | 张静娴 保明睿 叶飞 刘佳 成龙 翟晓芳 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家研究中心,材料物理与化学系;2. 上海科技大学物质学院 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:52072244,12104305)； |
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| 摘 要： | 使用激光分子束外延在SrTiO3(001)衬底上生长SrRuO3薄膜,并研究激光能量密度、生长温度和靶材表面烧蚀度等生长参数对于SrRuO3表面形貌、基本磁电性质以及拓扑霍尔效应的影响.当在最优条件下生长SrRuO3薄膜时,样品表面平整、台阶清晰,具有最低的金属-绝缘体转变温度,电阻率最低,且具有最显著的拓扑霍尔效应;而改变生长参数生长的SrRuO3薄膜由于存在更多的缺陷,其表面较粗糙,金属-绝缘体转变温度增大,或表现出绝缘体行为,而拓扑霍尔效应会变弱甚至消失.
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| 关 键 词： | SrRuO3 激光分子束外延 生长控制 拓扑霍尔效应 |
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