|
|||||
|
|
| 半导体低维体系简介（续） | |
| 作者姓名： | 田强 杨锡震 |
| 作者单位： | 1. 北京师范大学物理系,北京,100875 2. 北京师范大学测试中心,北京,100875 |
| 摘 要： | 3 低维体系的生长制备和分析3 .1 生长制备传统的电子材料和器件加工中使用以下几种工艺来形成细小尺寸的图形 .1 )光刻和电子束刻蚀 :最小刻蚀尺度受衍射限制 ,对可见光 ,最小刻蚀尺度～ 0 .1 5μm,使用软 X射线可降至 0 .0 1μm,高能电子束刻蚀可达 0 .0 2 μm,若使用无机抗蚀剂还可降到1 nm,可用来形成量子线和量子点 .2 )腐蚀 :包括化学腐蚀和等离子体腐蚀 .化学腐蚀必然留下一些残留物 ;等离子体工艺过程中的 H原子可能进入材料 ,在 50 nm或更深的深度内改变掺杂浓度的深度分布 .3 )离子注入 :虽然使用适当厚度的掩膜可获得注入区和… |
| 关 键 词： | 半导体 低维体系 生长制备 扫描隧道显微镜 原子力显微镜 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ | |