| InGaAs/GaAs应变量子阱的光谱研究 |
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| 作者姓名： | 孔令民 蔡加法 林雪娇 杨克勤 吴正云 沈文忠 |
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| 作者单位： | 1.厦门大学物理系,福建 厦门,361005;2.上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室 上海,200030 |
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| 基金项目： | 福建省自然科学基金重点资助项目(A992001) |
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| 摘 要： | 分别用光致发光谱(PL)、光伏谱(PV)及时间分辨谱(TRPL)的方法,测量了应变InGaAs/GaAs单量子阱和多量子阱在不同温度下的光谱,发现单量子阱与多量子阱有不同的光学性质。多量子阱PL谱发光峰和PV谱激子峰的强度与半高宽都比单量子阱的大,但单量子阱的半高宽随着温度的升高增大很快,这是由激子-声子耦合引起的。通过时间分辨谱研究发现了量子阱子能级之间的跃迁,多量子阱的发光寿命明显比单量子阱的长。我们利用形变势模型对量子阱的能带进行了计算,很好地解释了实验结果。
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| 关 键 词： | InGaAs/GaAs应变量子阱 形态势模型 时间分辨谱 |
| 文章编号： | 1000-7032(2002)06-0549-05 |
| 收稿时间： | 2002-08-11 |
| 修稿时间： | 2002-08-11 |
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