| α-Al2O3(0001)表面原子缺陷对ZnO吸附影响 |
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| 作者姓名： | 杨春 李言荣 颜其礼 刘永华 |
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| 作者单位： | 四川师范大学数学与软件科学学院,成都 610068;电子科技大学微电子与固体电子学院,成都 610054;四川师范大学固体物理研究所,成都 610068;中国物理工程研究院化工材料研究所,绵阳 621900 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展规划项目(批准号：51310Z03)和四川省应用基础研究项目(批准号：0 2GY-006)、四川省教育厅重点项目(批准号：2002A086)以及四川省重点学科建设项目(批准 号：SZD0406)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论的分子动力学方法,对α-Al2O3(0001)表面 Al,O原子空位缺陷及其对ZnO吸附进行了理论计算.电子局域函数显示了表面空位处的电子密度变化,表面Al原子空缺处有非常明显的缺电子区域,悬挂键临近O的电子密度增大,有利于对Zn的吸附;O原子空缺处的Al原子处存在孤立电子,其ELF值为005—03,将有利于同电负性较大的O或O2-结合.通过吸附动力学模拟与体系能量的计算发现,表面缺陷显著增强了表面 的化学吸附,空缺原子处都被吸附原子填补,吸附结合能远大于单晶表面的情况.在Al空缺的表面,由于ZnO的O与表面O形成双键,破坏了α-Al2O3(0001)表面O六 角对称结构,减小了 O的表面扩散,从而不利于规则的ZnO薄膜生长.相反,O的空缺表面,弥补了α-Al2O3(0001)表面O空位缺陷,不影响基片表面O六角对称结构.
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| 关 键 词： | 表面缺陷 吸附 α-Al2O3(0001) ZnO |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(05)2364-05 |
| 收稿时间： | 2004-07-17 |
| 修稿时间： | 2004-07-17 |
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