用热分解法气相外延GaAs_(1-x)P_x生长速度的分析

在用热分解法气相外延生长GaAs_(1-x)P_x过程即Ga(CH_3)_3 (1-x)AsH_3 xPH_3=GaAs_(1-x)P_x 3CH_4反应系中,在一定温度下生长速度是依赖于x值的。实验结果表明:对于晶体生长的机理,可用二维核形成的模型来说明决定生长速度的过程。这时,生长速度对x值的依赖关系是受GaAs_(1-x)P_x的平衡蒸气压变化所引起的饱和比变化支配的。根据热力学的研究,对实验结果进行了分析,并给出了妥当的数值。