| LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究 |
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| 引用本文： | 王晓华,单崇新,张振中,张吉英,范希武,吕有明,刘益春,申德振.LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究[J].发光学报,2003,24(4):371-374. |
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| 作者姓名： | 王晓华 单崇新 张振中 张吉英 范希武 吕有明 刘益春 申德振 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033;长春理工大学,高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
2. 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家攀登计划，国家自然科学重大基金(69896260)，中科院创新工程，中科院百人计划，国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe，ZnSeTe)／ZnTe复合量子阱结构。测量了生长样品的光致发光(PL)谱，得到两个发光峰(记为Il，I2)，分析认为高能侧的峰为Zn0．9Cd0．1Te浅阱峰，而低能侧的峰为ZnSe0．2Te0.8深阱层的发射。对样品进行了变激发强度的PL谱测量，当激发强度增加时，PL谱中两个发光峰的比值(I2／I1)开始时迅速增加，然后缓慢减小。这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离，从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的。
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| 关 键 词： | LP-MOCVD 复合量子阱 低压金属有机化学气相沉积 光致发光谱 激子发光 半导体材料 （ZnCdTe，ZnSeTe）／ZnTe 隧穿几率 |
| 文章编号： | 1000-7032(2003)04-0371-04 |
Photoluminescence of (ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe Quantum Wells Grown by LP-MOCVD |
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| Keywords: | complex quantum well tunneling rate photoluminescence spectra |
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