| 3英寸6H-SiC单晶的生长 |
| |
| 引用本文： | 王英民,宁丽娜,陈秀芳,彭燕,高玉强,胡小波,徐现刚,蒋民华. 3英寸6H-SiC单晶的生长[J]. 人工晶体学报, 2007, 36(3): 717-718 |
| |
| 作者姓名： | 王英民 宁丽娜 陈秀芳 彭燕 高玉强 胡小波 徐现刚 蒋民华 |
| |
| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划);国家自然科学基金;山东省重大科技专项计划 |
| |
| 摘 要： | SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…
|
| 关 键 词： | 6H-SiC单晶 单晶生长 宽带隙半导体材料 蓝色发光二极管 大功率电子器件 Cree公司 电学性质 衬底材料 |
| 修稿时间： | 2006-07-24 |
Growth of 3 inch 6H-SiC Single Crystal |
| |
| WANG Ying-min,NING Li-na,CHEN Xiu-fang,PENG Yan,GAO Yu-qiang,HU Xiao-bo,XU Xian-gang,JIANG Min-hua. Growth of 3 inch 6H-SiC Single Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2007, 36(3): 717-718 |
| |
| Authors: | WANG Ying-min NING Li-na CHEN Xiu-fang PENG Yan GAO Yu-qiang HU Xiao-bo XU Xian-gang JIANG Min-hua |
| |
| Affiliation: | State Key Laboratory of Crystal Materials, Shandong University, Jinan 250100, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《人工晶体学报》下载全文 |
|
