| 助熔剂提拉法生长化学计量比LiNbO3晶体 |
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| 作者姓名： | 孙敦陆 杭寅 张连瀚 钱小波 李世峰 徐军 罗国珍 祝世宁 朱永元 林培江 洪荣华 邓棠波 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;上光富晶光电材料有限公司,昆山,215316;中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥,230031;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;上光富晶光电材料有限公司,昆山,215316;上光富晶光电材料有限公司,昆山,215316;中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;南京大学固体微结构国家重点实验室,南京,210093;香港浸会大学物理系,香港 |
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| 摘 要： | 利用助熔剂提拉法,分别从掺入11mol;K2O的同成份LiNbO3熔体中和从掺入19mol;*!K2O的化学配比LiNbO3熔体中生长出高质量近化学计量比LiNbO3单晶.对这两种从不同配比熔体中生长的晶体进行光谱分析表明,与同成份比LiNbO3相比较,其紫外吸收边出现明显蓝移,OH红外吸收峰的位置和线宽也都有显著的变化.室温极化反转测试显示,两种晶体的矫顽场分别为4.4kV/mm和0.8kV/mm.根据所得测量结果,估计两种晶体中Li2O的含量分别为49.6mol;和49.9mol;.其中从掺19mol; K2O化学配比LiNbO3熔体中生长出的LiNbO3单晶的Li2O含量已非常接近50mol;的化学配比.进一步优化生长工艺,获得成份均匀、大尺寸化学计量比晶体的工作正在进行中.
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| 关 键 词： | 铌酸锂晶体 化学计量比 助熔剂提拉法 吸收光谱 |
| 文章编号： | 1000-985X(2002)03-0314-04 |
| 修稿时间： | 2001-12-25 |
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