硅酸镥γ图像转换屏荧光弥散特性研究

分析LSO无机闪烁晶体中荧光弥散的原理。采用蒙特卡罗方法,将荧光弥散分为γ光子在LSO闪烁体中转化为次级电子并沉积能量,以及沉积能量转换为荧光光子在闪烁体中输运2个过程进行模拟。其中,前一过程采用MCNP蒙特卡罗程序模拟,后一过程的模拟计算由自编蒙特卡罗程序实现。给出了闪烁体的点扩散函数,计算结果与刀口法实验测量得到的点扩散函数相吻合。采用该方法计算了不同入射γ射线能量和各种厚度闪烁体下的点扩散函数。数据结果表明:点扩散函数的FWTM(full width at tenth maximum)随着γ射线能量的增大先减后增,并逐渐趋于稳定,还随着闪烁体厚度的增加而逐渐增大,文中给出了呈现这种变化规律的原因。