H2CO与双卤分子间卤键的电子密度分析 |
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作者姓名: | 赵影 曾艳丽 孙政 郑世钧 孟令鹏 |
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作者单位: | Institute of Computational Quantum Chemistry, College of Chemistry and Material Sciences, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050016, P. R. China; College of Science, Agricultural University of Hebei, Baoding 071001, Hebei Province, P. R. China |
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基金项目: | 国家自然科学基金(20573032),河北省自然科学基金(B2006000137)及河北师范大学博士基金(L2005B12)资助项目 |
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摘 要: | 运用B3LYP和MP2方法在6-311++G(d,p)基组水平上, 对H2CO-XY(XY=F2、Cl2、Br2、ClF、BrF、BrCl)卤键体系进行构型全优化, 得到了O…X—Y型卤键复合物. 结果表明, MP2/6-311++G(d,p)计算结果与实验值较吻合. 并在MP2水平下计算了分子间的相互作用能, 用完全均衡校正CP(counterpoise procedure)方法对基函数重叠误差(BSSE)进行了校正. 利用电子密度拓扑分析方法对卤键复合物的电子密度拓扑性质进行了分析研究.
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关 键 词: | 卤键 电子密度拓扑分析 MP2 双卤分子 |
收稿时间: | 2007-10-15 |
修稿时间: | 2007-10-15 |
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