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| 串联组装双C60 的电子结构和输运特性 | |
| 作者姓名： | 胡庆平 冯艳全 任艳琴 陆振帮 |
| 作者单位： | 1. 武汉纺织大学电子与电气工程学院,武汉,430073 2. 北京理工大学理学院,北京,100081 |
| 基金项目： | 青年项目(2008Z26) |
| 摘 要： | 利用第一原理密度泛函理论计算组装C60形成能和电子结构,用半经典隧穿理论研究了串联C60的电子输运特性。结果显示：六边形对六边形双C60比边对边双C60稳定;库仑阻塞与系统的结构密切相关,并且只有阴极结比阳极结窄时,才会出现库仑阻塞;低温时出现非常明显库仑台阶,温度较高时其被热效应抑制。 |
| 关 键 词： | 分子物理学 电子输运 库仑阻塞 组装 |
| 收稿时间： | 2010-12-10 |
| 修稿时间： | 2011-01-03 |
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