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退火升温速率对LaNiO3薄膜结构和电学性能的影响
引用本文:姜涛,祝元坤,赵爽,李磊,余远根,王现英.退火升温速率对LaNiO3薄膜结构和电学性能的影响[J].人工晶体学报,2016,45(2):424-429.
作者姓名:姜涛  祝元坤  赵爽  李磊  余远根  王现英
作者单位:上海理工大学材料科学与工程学院,上海,200093
基金项目:国家自然科学基金(11402149),上海市自然科学基金(14ZR1428000),沪江学者基金(B14006)
摘    要:采用溶胶-凝胶法在SiO2/Si(100)衬底上制备了镍酸镧(LaNiO3,LNO)薄膜,并利用XRD、SEM、AFM和半导体参数分析仪等研究了退火升温速率对LNO薄膜结构和电学性能的影响.结果表明,溶胶-凝胶法制备的LNO薄膜呈现赝立方钙钛矿型多晶结构,呈(110)择优取向生长;薄膜表面平整、均匀、无裂纹.随着退火升温速率的增加,LNO薄膜的晶粒尺寸先增大后减小;其电阻率先减小后增大.在退火升温速率为20℃/min时,LNO薄膜晶粒尺寸达到最大值94 nm,电阻率达到最小值9.5 x10-4 Ω·m.

关 键 词:溶胶-凝胶法  LaNiO3薄膜  退火升温速率  电阻率  

Effect of Annealing Heating Rate on Structural and Electrical Properties of LaNiO3 Thin Films
JIANG Tao,ZHU Yuan-kun,ZHAO Shuang,LI Lei,YU Yuan-gen,WANG Xian-ying.Effect of Annealing Heating Rate on Structural and Electrical Properties of LaNiO3 Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(2):424-429.
Authors:JIANG Tao  ZHU Yuan-kun  ZHAO Shuang  LI Lei  YU Yuan-gen  WANG Xian-ying
Abstract:
Keywords:sol-gel method  LaNiO3 thin films  heating rate  resistivity
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