| B掺杂量对LPCVD生长大面积ZnO透明导电薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 黄建华,刘怀周. B掺杂量对LPCVD生长大面积ZnO透明导电薄膜性能的影响[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(1): 236-240 |
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| 作者姓名： | 黄建华 刘怀周 |
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| 作者单位： | 湖南理工职业技术学院太阳能工程系,湘潭,411104;湖南共创光伏科技有限公司,衡阳,421001 |
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| 基金项目： | 2014年教育厅科学研究项目(14C0534) |
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| 摘 要： | ![]()
采用低压化学气相沉积(LPCVD)技术在大面积的玻璃衬底上制备了B掺杂ZnO(BZO)透明导电薄膜,研究了不同B2H6掺杂量对BZO薄膜微观形貌、导电能力及其均匀性、透光率等性能的影响.结果表明,所制备的BZO薄膜表面具有自生长的绒面结构;B2H6掺杂量由30 sccm增加到60 sccm,BZO薄膜的方阻由28.6Ω/□减小到14.1 Ω/□,导电能力显著增强,同时方阻均匀性也明显提升;BZO薄膜在长波区的透光率随B2H6掺杂量的增加而明显降低,综合透光率结果,最佳B2H6掺杂量控制在60～ 90 sccm之间.
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| 关 键 词： | 低压化学沉积 B掺杂ZnO薄膜 透明导电氧化物 方块电阻 均匀性 绒面结构, |
Influence of B-doping Amount on Properties of Large-area ZnO Transparent Conduction Thin Film Grown by LPCVD Method |
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| HUANG Jian-hua,LIU Huai-zhou. Influence of B-doping Amount on Properties of Large-area ZnO Transparent Conduction Thin Film Grown by LPCVD Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(1): 236-240 |
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| Authors: | HUANG Jian-hua LIU Huai-zhou |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) boron-doped ZnO film transparent conductive oxide sheet resistance uniformity textured structure |
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