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镓掺杂对二氧化钛薄膜光吸收性能的影响
引用本文:邓泉荣,李义奇,陈恋,王升高,王戈明.镓掺杂对二氧化钛薄膜光吸收性能的影响[J].人工晶体学报,2016,45(8):2156-2159.
作者姓名:邓泉荣  李义奇  陈恋  王升高  王戈明
作者单位:武汉工程大学材料科学与工程学院,湖北省等离子体化学与新材料重点实验室,武汉430074
基金项目:国家自然科学基金(51442003;51272178),湖北省教育厅中青年人才项目(Q20151502),湖北省科技厅青年基金(2015CFB229)
摘    要:通过向TiO2粉体中加入质量分数为1;~15;的Ga2O3粉末,制备了Ga掺杂的TiO2陶瓷靶,并采用脉冲激光沉积法(PLD)用陶瓷靶制备出TiO2薄膜,将薄膜于800~1000℃下退火.对薄膜结构和光学性质的研究表明1000℃退火条件下浓度为1; Ga2O3掺杂能有效将金红石相TiO2的禁带宽度减小至2.62 eV,使其吸收边红移动至470 nm.

关 键 词:TiO2薄膜  脉冲激光沉积  Ga掺杂  可见光吸收  

Effect of Ga Doping on Optical Absorption Property of TiO2 Thin Films
DENG Quan-rong,LI Yi-qi,CHEN Lian,WANG Sheng-gao,WANG Ge-ming.Effect of Ga Doping on Optical Absorption Property of TiO2 Thin Films[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(8):2156-2159.
Authors:DENG Quan-rong  LI Yi-qi  CHEN Lian  WANG Sheng-gao  WANG Ge-ming
Abstract:
Keywords:TiO2 thin film  pulsed laser deposition  Ga doping  visible light absorption
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