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利用AFORS-HET对P型HIT太阳电池的模拟优化
引用本文:姚尧,肖少庆,刘晶晶,顾晓峰. 利用AFORS-HET对P型HIT太阳电池的模拟优化[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(4): 935-940
作者姓名:姚尧  肖少庆  刘晶晶  顾晓峰
作者单位:江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,无锡214122
基金项目:国家自然科学基金(61404061),江苏省自然科学青年基金(BK20140168)
摘    要:
运用模拟软件AFORS-HET对TCO/a-Si∶ H(n)/a-Si∶ H(i)/c-Si(p)/Ag结构的异质结(HIT)太阳电池进行仿真,分析其光伏输出特性随发射层掺杂浓度、晶硅衬底掺杂浓度、透明导电氧化物薄膜(TCO)的选择以及TCO功函数的变化规律.结果显示,当发射层掺杂浓度大于1.0×1020 cm-3,晶硅衬底掺杂浓度大于1.2×1016 cm3,以ZnO为TCO层且ZnO的功函数低于4.4 eV时,电池的开路电压、短路电流密度、填充因子及电池转换效率达到最优值,光电转换效率最高达到19.18;.

关 键 词:异质结太阳电池  透明导电氧化物薄膜  AFORS-HET  功函数,

Simulation Optimizing of P-type HIT Solar Cells with AFORS-HET
YAO Yao,XIAO Shao-qing,LIU Jing-jing,GU Xiao-feng. Simulation Optimizing of P-type HIT Solar Cells with AFORS-HET[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(4): 935-940
Authors:YAO Yao  XIAO Shao-qing  LIU Jing-jing  GU Xiao-feng
Abstract:
Keywords:heterojunction with intrinsic thin-layer solar cell  transparent conducting oxide  AFORS-HET  work function
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