| c轴倾斜CuCr1-xMgxO2(x=0,0.02)薄膜的外延生长 |
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| 引用本文： | 樊堃,虞澜,秦梦,刘丹丹,康冶,宋世金,陈亮维.c轴倾斜CuCr1-xMgxO2(x=0,0.02)薄膜的外延生长[J].人工晶体学报,2016,45(4):1000-1005. |
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| 作者姓名： | 樊堃 虞澜 秦梦 刘丹丹 康冶 宋世金 陈亮维 |
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| 作者单位： | 昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明,650093;昆明理工大学材料科学与工程学院,昆明650093;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51262016;51462017)，云南省教育厅研究生项目(20117073)，国家大学生创新创业训练计划(201210674037)，昆明理工大学人培项目(KKZ3201251013) |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积技术在0°,5°,10°c轴倾斜α-Al2 O3 (0001)衬底上制备出c轴生长CuCr1-xMgx O2(x=0,0.02)薄膜.用x射线衍射Φ扫描分析薄膜与衬底(000l)晶面的结晶取向关系为＜1100＞ CuCrO2∥＜1120＞α-Al2O3,并进一步通过θ扫描、2θ扫描表征5°和10°c轴倾斜衬底上CuCrO2薄膜与衬底(0006)晶面之间的倾斜角度差值由0.43°增加到1.76°,得到薄膜c轴外延性随衬底倾斜角变大而变差.AFM观察生长在α-A12 O3 (0001)衬J芪上的CuCr1-xMgxO2薄膜为层状形貌,且倾斜衬底上薄膜晶粒尺寸减小,晶界增加.p-T测量曲线表明:相比平直衬底,10°倾斜衬底上CuCrO2薄膜的电阻率略有升高,这是由于倾斜衬底上薄膜结晶质量较差及晶界对载流子散射增强所致,与XRD和AFM结果相一致.
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| 关 键 词： | CuCr1-xMgxO2薄膜 脉冲激光沉积 c轴倾斜 外延性 |
Epitaxial Growth of CuCr1-xMgxO2 (x=0,0.02) Thin Films on c-axis Tilted Substrates |
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| FAN Kun,YU Lan,QIN Meng,LIU Dan-dan,KANG Ye,SONG Shi-jin,CHEN Liang-wei.Epitaxial Growth of CuCr1-xMgxO2 (x=0,0.02) Thin Films on c-axis Tilted Substrates[J].Journal of Synthetic Crystals,2016,45(4):1000-1005. |
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| Authors: | FAN Kun YU Lan QIN Meng LIU Dan-dan KANG Ye SONG Shi-jin CHEN Liang-wei |
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| Keywords: | CuCr1-xMgxO2 thin film pulsed laser deposition c-axis tilted epitaxial growth |
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