| 溶剂熔区移动法生长In∶Cd0.9Zn0.1Te晶体的性能研究 |
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| 引用本文： | 段磊,闵嘉华,梁小燕,张继军,凌云鹏,杨柳青,邢晓兵,王林军.溶剂熔区移动法生长In∶Cd0.9Zn0.1Te晶体的性能研究[J].人工晶体学报,2016,45(5):1163-1167. |
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| 作者姓名： | 段磊 闵嘉华 梁小燕 张继军 凌云鹏 杨柳青 邢晓兵 王林军 |
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| 作者单位： | 上海大学电子信息材料系,上海,200444 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11275122;11375112)，上海市科委重点项目(11530500200)，上海市教育委员会科研创新项目(12ZZ096) |
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| 摘 要： | 采用溶剂熔区移动法生长出掺In的Cd0.9Zn0.1Te晶体.测试了晶体轴向Zn含量分布,并对晶体的头部和中部进行了Te夹杂相、红外透过率、I-V特性曲线和PL谱图的对比测试.结果表明:头部晶体的Zn含量、红外透过率和电阻率均大于中部;而头部晶体的Te夹杂尺寸、杂质和缺陷含量均小于中部.
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| 关 键 词： | 溶剂熔区移动法 Cd0.9Zn0.1Te 红外透过率 光致发光 |
Study on Properties of In Doped Cd0.9Zn0.1Te Crystal Grown by Traveling Solvent Melting Zone Method |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | traveling solvent melting zone method Cd0 9Zn0 1Te IR transmittance photoluminescence |
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