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硅基(001)取向Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3薄膜的制备及其铁电性能研究
引用本文:张程浩,狄杰建,谭培培,李明勇,赵全亮,谭晓兰,王大伟. 硅基(001)取向Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3薄膜的制备及其铁电性能研究[J]. 人工晶体学报, 2016, 45(8): 2056-2060
作者姓名:张程浩  狄杰建  谭培培  李明勇  赵全亮  谭晓兰  王大伟
作者单位:北方工业大学机械与材料工程学院,北京,100144
基金项目:国家自然科学基金(51305005;51375017),北京市自然科学基金委员会-北京市科学技术研究院联合资助项目(16L00001)
摘    要:采用磁控溅射法在LaNiO3/Si衬底上制备了6;Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-94; Pb(Zr0.52 Ti0.48) O3 (PMnN-PZT)铁电薄膜,对其微结构和铁电特性进行了研究.结果表明,该铁电薄膜呈(001)高度择优取向,取向度高达98;.经过1010次铁电循环测试,铁电薄膜无疲劳现象;在104 s时间内,薄膜的铁电保持和印记特性稳定,无明显退化.该结果说明LaNiO3氧化物电极会降低PMnN-PZT薄膜的氧空位浓度,有效地缓解了电荷注入的问题,因此改善了PMnN-PZT薄膜的铁电性能.

关 键 词:锰铌锆钛酸铅  镍酸镧  铁电性能  磁控溅射,

Study on Ferroelectric Properties of (001)-oriented Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films Prepared on Si Substrate
ZHANG Cheng-hao,DI Jie-jian,TAN Pei-pei,LI Ming-yong,ZHAO Quan-liang,TAN Xiao-lan,WANG Da-wei. Study on Ferroelectric Properties of (001)-oriented Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zr,Ti)O3 Thin Films Prepared on Si Substrate[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2016, 45(8): 2056-2060
Authors:ZHANG Cheng-hao  DI Jie-jian  TAN Pei-pei  LI Ming-yong  ZHAO Quan-liang  TAN Xiao-lan  WANG Da-wei
Abstract:
Keywords:PMnN-PZT  LNO  ferroelectric property  magnetron sputtering
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