| Sn掺杂Ⅰ型单晶笼合物Sr8Ga16Si30的能带及电子结构研究 |
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| 引用本文： | 程江,赵欣.Sn掺杂Ⅰ型单晶笼合物Sr8Ga16Si30的能带及电子结构研究[J].人工晶体学报,2016,45(6):1504-1507. |
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| 作者姓名： | 程江 赵欣 |
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| 作者单位： | 重庆文理学院新材料技术研究院,重庆,402160;中国民用航空飞行学院,广汉,618307 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61505018)，重庆文理学院项目(R2012CJ18&Z2013CJ02) |
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| 摘 要： | Ⅰ型Sr填充Si基单晶笼合物为具有较高热电性能的热电材料.基于第一性原理分别对Sr填充Si基笼合物Sr8Ga16Si30-xSnx(x=0、1、5、10)的能带结构和态密度进行计算,结果表明随着Sn原子含量的增加,笼合物晶格常数变大,带隙变小,Sn原子和Si原子的共同作用使得材料能带结构发生改变,Sn掺杂使得材料的带边结构不对称性加剧,表明其因具有较为优越的热电性能.
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| 关 键 词： | 热电材料 笼合物 能带结构 第一性原理 |
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