| Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜的结构演变和发光性能 |
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| 引用本文： | 孙智,谢建军,王宇,施鹰,雷芳.Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜的结构演变和发光性能[J].人工晶体学报,2016(11):2561-2566. |
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| 作者姓名： | 孙智 谢建军 王宇 施鹰 雷芳 |
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| 作者单位： | 1. 四川工商职业技术学院轻化工程系,四川,611830;2. 上海大学材料科学与工程学院光电子材料与器件研究中心,上海,200444;3. 上海大学材料科学与工程学院光电子材料与器件研究中心,上海200444;上海宇昂水性新材料科技有限公司,上海200124 |
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| 基金项目： | 上海市科委能力建设专项基金(14520500300)，国家自然科学基金青年基金(21301115) |
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| 摘 要： | 采用溶胶-凝胶法结合旋涂工艺在单晶硅(111)上制备了Tb~(3+)离子不同掺杂浓度的硅酸镥光学薄膜(Tb∶Lu_2SiO_5),利用热重差热分析(TG-DSC)、X射线衍射(XRD)、傅里叶红外光谱仪(FTIR)、原子力显微镜(AFM)和紫外可见荧光光谱(PL)对Tb∶Lu_2SiO_5薄膜的不同温度热处理的结构演变和发光性能进行了表征。研究结果表明Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜表面均匀、平整、无裂纹,薄膜样品从800℃开始晶华,1100℃时晶化完全。Tb∶Lu_2SiO_5的发光性能表现为Tb~(3+)离子的4f→5d和5D4(5D3)→7FJ(J=6,5,4,3)跃迁结果(监测波长分别为480~650 nm和350~470 nm),激发主峰位于~240 nm,发射光谱主峰为542 nm的绿光发射。研究表明Tb~(3+)掺杂浓度对Tb∶Lu_2SiO_5光学薄膜的发光强度会产生明显影响,掺杂15mol%的Tb~(3+)时,Tb∶Lu_2SiO_5薄膜的发光强度最强。
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| 关 键 词： | Sol-gel法 Tb∶Lu2SiO5光学薄膜 结构演变 发光性能 |
Structure Evolution and Luminescent Properties of Tb∶Lu2SiO5 Optical Thin Films |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Sol-gel method Tb∶Lu2SiO5 optical film structure evolution luminescent property |
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