| 不同硫化温度对Cu_2ZnSnS_4薄膜质量及太阳能电池性能的影响 |
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| 引用本文： | 李志山,王书荣,蒋志,杨敏,陆熠磊,刘思佳,赵其琛,郝瑞亭,杨培志.不同硫化温度对Cu_2ZnSnS_4薄膜质量及太阳能电池性能的影响[J].人工晶体学报,2016(7):1948-1953. |
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| 作者姓名： | 李志山 王书荣 蒋志 杨敏 陆熠磊 刘思佳 赵其琛 郝瑞亭 杨培志 |
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| 作者单位： | 云南师范大学太阳能研究所,教育部可再生能源材料先进技术与制备重点实验室,云南省农村能源工程重点实验室,昆明650500 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61167003)，西南地区可再生能源研究与开发协同创新中心(053002050516009) |
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| 摘 要： | 采用ZnS-Sn-CuS作为靶材,利用磁控溅射技术制备了Cu_2ZnSnS_4(CZST)薄膜材料及太阳电池,重点研究了不同硫化温度对CZTS薄膜质量及太阳电池性能的影响。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)、显微拉曼光谱仪(Raman)和紫外可见分光光度计(UV-Vis)分别表征了不同硫化温度下制备的CZTS薄膜的晶相结构、表面形貌、化学组分、相的纯度和光学性能。结果表明:在580℃下所制备的CZTS薄膜光滑致密、结晶质量好,同时化学组分属于贫铜富锌,而且无其他二次相,禁带宽度约为1.5 eV。符合高效率太阳电池吸收层的要求。将CZTS吸收层按照SLG/Mo/CZTS/Cd S/i-ZnO/ITO/Al的结构制备成面积为0.12 cm~2的电池并进行I-V测试。测试结果表明,在580℃硫化后制备的CZTS薄膜太阳电池具有最高的转换效率为3.59%。
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| 关 键 词： | 磁控溅射 CZTS 硫化温度 薄膜太阳能电池 |
Effect of Different Sulfurization Temperatures on Quality of Cu2ZnSnS4 Thin Films and Properties of Solar Cell |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering CZTS sulfurization temperature thin film solar cell |
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