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| 限制电流对Ta/BaTiO3/Al2O3/ITO忆阻器的开关比和稳定性调控 | |
| 引用本文： | 何朝滔,卢羽,李秀林,陈鹏.限制电流对Ta/BaTiO3/Al2O3/ITO忆阻器的开关比和稳定性调控[J].物理学报,2022(8):251-256. |
| 作者姓名： | 何朝滔 卢羽 李秀林 陈鹏 |
| 作者单位： | 西南大学物理科学与技术学院 |
| 摘 要： | 利用磁控溅射技术沉积了Ta/Ba Ti O3/Al2O3/ITO多层薄膜,观察到该结构中的电阻开关现象受到限制电流的调控.在限制电流大小为10–2 A时,器件中的电阻开关现象达到最优. Ta/Ba Ti O3/Al2O3/ITO多层薄膜的电阻开关具有良好的可重复性和稳定性.本文使用空间限制电流的传导模型对Ta/Ba Ti O3/Al2O3/ITO器件中受限制电流调控的电阻开关传导机理进行了解释. |
| 关 键 词： | 电阻开关 氧空位迁移 限制电流 焦耳热 |
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