Ga3+对Ce3+光致发光的影响 |
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作者姓名: | 徐春祥 娄志东 马龙 刘行仁 徐叙瑢 |
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作者单位: | 东南大学分子与生物分子电子学开放实验室,天津大学应用物理系,中国科学院长春物理研究所,北方交通大学光电子技术研究所 |
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摘 要: | 研究了Ga3+在SrS∶Ce和SrGa2S4∶Ce薄膜电致发光(TFEL)材料中的作用及其对Ce3+发光特性的影响。在SrS中掺入Ga2S3并烧结,发现Ga3+的浓度增加时,Ce3+的发光显著向短波方向移动,激发谱中对应于SrS带间吸收的激发峰相对减弱,而对应于Ce3+的基态到激发态跃迁的激发效率相对提高,并出现逐渐增强的SrGa2S4的带间吸收。Ga3+的引入使Ce3+周围的配位场发生变化,相应的能级分布有所改变,Sr2+离子性的增强和Ce3+-Ce3+相互作用的减弱对Ce3+发光特性有显著影响。
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关 键 词: | 稀土,镓,铈,SrGa_2S_4∶Ce,光致发光 |
修稿时间: | 1997-01-15 |
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