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| 引入籽晶层的物理溅射生长Ga2O3外延薄膜特性研究 | |
| 作者姓名： | 洪梓凡 陈海峰 贾一凡 祁祺 刘英英 过立新 刘祥泰 陆芹 李立珺 王少青 关云鹤 胡启人 |
| 作者单位： | 西安邮电大学电子工程学院新型半导体器件与材料重点实验室 |
| 基金项目： | 陕西省自然科学基础研究计划(批准号:2020JM-581)资助的课题~~; |
| 摘 要： | 氧化镓(Ga2O3)薄膜在功率器件以及紫外探测等领域中具有重要的应用潜力,而实现高质量薄膜制备则是其中的关键.本文在蓝宝石衬底上物理溅射生长外延Ga2O3层,因采用引入籽晶层的方法提供了人为成核点而使得外延层结晶质量获得明显改善.实验发现该外延层薄膜的生长中随着功率增加,晶粒团聚到一定尺寸后出现裂解现象.这一物理机制归因于大功率下溅射粒子在生长晶面上扩散携带的能量过大导致粒子碰撞次数增多.文中生长的外延层为(201)晶面取向的β型Ga2O3薄膜,厚度在202.4-292.3 nm之间,薄膜在450—800 nm范围可见光波段的透射率约为90%,吸收边随着功率的增加先蓝移后红移,带隙约为4.81—4.96 eV.光致发光光谱分析表明,该外延层薄膜在460 nm处产生蓝色发光.本文发现溅射功率为160 W时引入籽晶层生长的β-Ga2O3薄膜具有最佳的结晶质量,这一方法将为高质量β-Ga2O |
| 关 键 词： | β-Ga2O3 外延 宽禁带半导体 磁控溅射 |