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| 卷曲效应对单壁碳纳米管电子结构的影响 | |
| 作者姓名： | 秦威 张振华 刘新海 |
| 作者单位： | 长沙理工大学物理与电子科学学院,长沙 410004 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号:61071015, 60771059)资助的课题. |
| 摘 要： | 利用计入卷曲效应的单壁碳纳米管(SWCNT)的能量色散关系,计算最低导带的电子速度及有效质量,并与不计入卷曲效应的结果进行了比较.计算结果表明:卷曲效应对电子速度及有效质量的影响与SWCNT的类型密切相关,金属锯齿型SWCNT对卷曲效应最为敏感,其次是扶手椅型SWCNT,最不敏感的是半导体锯齿型SWCNT.由此可以推断,卷曲效应对金属锯齿型SWCNT电子结构及低偏压输运特性影响最大,其次是扶手椅型SWCNT,影响最不明显的是半导体锯齿型SWCNT.这些结果与实验测量及密度泛函理论计算结果完全一致.
关键词：
单壁碳纳米管
卷曲效应
电子速度
电子有效质量 |
| 关 键 词： | 单壁碳纳米管 卷曲效应 电子速度 电子有效质量 |
| 收稿时间： | 2011-02-26 |
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