| 透明KTN薄膜的PLD法制备及其铁电性能研究 |
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| 引用本文： | 王晓东,彭晓峰,张端明.透明KTN薄膜的PLD法制备及其铁电性能研究[J].化学物理学报,2005,18(4):599-604. |
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| 作者姓名： | 王晓东 彭晓峰 张端明 |
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| 作者单位： | 清华大学热能工程系相变与界面传递现象实验室 北京100084
(王晓东，彭晓峰)，华中科技大学物理系 武汉430074(张端明) |
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| 摘 要： | 用Sol Gel法制备KTN多晶粉末,在富氧气氛下烧结富钾KTN陶瓷,代替KTN单晶作为靶材,用PLD技术结合后期退火技术,在透明石英单晶(100)上制备出高取向的透明KTN薄膜,对薄膜厚度、折射率、伏～安(I～V)特性、介电特性进行了测试与分析.I～V特性表明,低电场强度下,I～V服从欧姆定律,高电场强度下,I～V服从平方关系,可用空间电荷限制电流模型解释.电容～测试电场频率(C～F)特性表明,低频电容色散大,高频色散小,10kHz时介电常数为12600.
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| 关 键 词： | PLD KTN 薄膜 石英单晶 |
| 收稿时间： | 2004/7/12 0:00:00 |
Ferroelectric Properties of Transparent KTN Thin Film Produced by Pulsed Laser Deposition |
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| Wang Xiaodong,Peng Xiaofeng and Zhang Duanming.Ferroelectric Properties of Transparent KTN Thin Film Produced by Pulsed Laser Deposition[J].Chinese Journal of Chemical Physics,2005,18(4):599-604. |
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| Authors: | Wang Xiaodong Peng Xiaofeng and Zhang Duanming |
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| Institution: | Wang Xiaodong~a*,Peng Xiaofeng~a,Zhang Duanming~b |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PLD KTN Thin film Single crystal quartz |
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